高壓瓷片電容：

簡(jiǎn)介：

高壓陶瓷電容器，即使用在電力系統(tǒng)中的高壓陶瓷電容器，一般如電力系統(tǒng)的計(jì)量，儲(chǔ)能，分壓等產(chǎn)品中，都會(huì)用到高壓陶瓷電容器。高壓陶瓷電容在LED燈行業(yè)已有廣泛的應(yīng)用和不輕的地位，高壓陶瓷電容是用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。

作用：

高壓陶瓷電容具有耐磨直流高壓的特點(diǎn)，適用于高壓旁路和耦合電路中，其中的低耗損高壓圓片具有較低的介質(zhì)損耗，特別適合在電視接收機(jī)和掃描等電路中使用。 高壓瓷片電容只要針對(duì)于高頻，高壓瓷片電容取決于使用在什么場(chǎng)合，典型作用可以消除高頻干擾。 在大功率、高壓領(lǐng)域使用的高壓陶瓷電容器，要求具有小型、高耐壓和頻率特性好等特點(diǎn)。近年來(lái)隨著材料、電極和制造技術(shù)的進(jìn)步，高壓陶瓷電容器的發(fā)展有長(zhǎng)足的進(jìn)展，并取得廣泛應(yīng)用。高壓陶瓷電容器已成為大功率高壓電子產(chǎn)品不可缺少的元件之一。 高壓陶瓷電容器的用途主要分為送電、配電系統(tǒng)的電力設(shè)備和處理脈沖能量的設(shè)備。 因?yàn)殡娏ο到y(tǒng)的特殊性：交流電壓高，高頻，處于室外環(huán)境中(-40度到+60度)，雷擊電壓/電流大，等等各種因素，造成了高壓陶瓷電容器在研發(fā)和生產(chǎn)中一直處于困境:環(huán)境的惡劣，要求電容具有超強(qiáng)的穩(wěn)定性，即變化率要??；同時(shí)，計(jì)量，儲(chǔ)能，分壓等產(chǎn)品要求高精密度，這對(duì)處于這種環(huán)境下的高壓陶瓷電容器的局放，即局部放電量有著極為苛刻的要求：局放為零。

優(yōu)點(diǎn)：

1.容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性

2.特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長(zhǎng)期工作可靠性

3.高電流爬升速率并適用于大電流回路無(wú)感型結(jié)構(gòu)。

差別：

·高壓陶瓷電容和高壓瓷片電容的特點(diǎn)對(duì)比： 高壓陶瓷電容的特點(diǎn) 1.不需要認(rèn)證
2.超高壓可以達(dá)到7KV 在高就罕見(jiàn)了，
3.打印方式和Y電容比不用把各國(guó)認(rèn)證打在產(chǎn)品表面，
4 電壓可以到16V
5，耐壓2倍 一般生產(chǎn)是1.5倍的標(biāo)準(zhǔn)測(cè) A型材料的交流擊穿電壓特性 外面用環(huán)氧樹(shù)脂模壓包封的陶瓷電容器的擊穿電壓。與間隙長(zhǎng)G(圓片半徑與電極半徑之差)的關(guān)系。電容器的直徑為18mm,材料介電常數(shù)為1460‘以下簡(jiǎn)稱A材),電極為銀電極。試驗(yàn)條件為25℃,施加50Hz交流電壓,電壓上升率為ZkV/s 高壓瓷片電容特點(diǎn)：
常用于高壓場(chǎng)合。
陶瓷有I類瓷，II類瓷，III類瓷之分，
I類瓷，NP0，溫度特性，頻率特性和電壓特性佳，因介電常數(shù)不高，所以容量做不大；
II類瓷，X7R次之，溫度特性和電壓特性較好；
III類瓷，介電常數(shù)高，所以容量可以做很大，但溫度特性和電壓特性不太好。
瓷片電容器一般體積不大。
另外，再?gòu)?qiáng)調(diào)一個(gè)重要特點(diǎn)：
瓷介電容器擊穿后，往往呈短路狀態(tài)。（這是它的弱點(diǎn)）
而薄膜電容器失效后，一般呈開(kāi)路狀態(tài)。
高壓瓷片電容和高壓陶瓷電容功能基本上是一樣的，一些細(xì)節(jié)會(huì)有些不同。所以在使用的時(shí)候也要注意到性能方面。
一、直插的高壓陶瓷電容器，俗稱DIP類的，這類產(chǎn)品從16VDC到100KV都有生產(chǎn)，但是主要是指直流的，而且是引線型的。
二、直插型的陶瓷電容器有另類，就是交流陶瓷電容器，一般指250VAC的Y2安規(guī)電容器，以及400VAC的Y1交流安規(guī)電容器。從名稱上顯而易見(jiàn)，這類電容的電壓是指交流電壓，而且是有十個(gè)左右的國(guó)家的安全認(rèn)證的。陶安規(guī)電容器之外，別的引線型陶瓷電容器所說(shuō)的電壓一般是指直流而言。
三、貼片陶瓷電容，俗稱SMD類的，這種電容的規(guī)格一般以0201，0402，0603，0805，1206，1210等表示。。貼片電容英文簡(jiǎn)寫是MLCC，電壓從6.3VDC到2KV以上都有，當(dāng)然，電壓越高，價(jià)格也越不菲。
四，螺栓型高壓陶瓷電容器。這類電容器一般耐超高電壓，在電力系統(tǒng)中往往是指交流電壓。如40KV102K，40KV103K，40KV153K等，型號(hào)很多種，但是里邊的電壓并不是直流。因?yàn)槲覀兗依?，或工廠企業(yè)所用的電都是交流電??！這類電容器的技術(shù)含量是相當(dāng)高的，往往是很多企業(yè)能做出這種形狀，卻始終沒(méi)辦法做出客人要求的品質(zhì)，原因是：首先這類產(chǎn)品要求較高的交流電壓，而大多數(shù)廠所標(biāo)的是直流電壓，所以，在送樣階段就被淘汰了；其次，這類高壓陶瓷電容器要求超低的局放，局部放電量越大，電容的實(shí)際耐壓值就越低，因此，局放是衡量一顆電容的質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)；再次，超高的工頻，一般的引線型的電容也要以做到袍高的工頻，而這種螺栓型的就更高要求。，這類電容對(duì)材質(zhì)要求很嚴(yán)格，因?yàn)椴煌馁|(zhì)的損耗和溫度系數(shù)，介電系數(shù)不一樣。
高壓陶瓷電容 、特點(diǎn)
高壓發(fā)生器要用到很多高壓陶瓷電容器和大容量高壓電容器。傳統(tǒng)使用，客人們一般都使用高壓薄膜類的電容器，但是隨著陶瓷電容的優(yōu)勢(shì)不斷體現(xiàn)，將來(lái)，薄膜電容器將越來(lái)越少的出現(xiàn)在高壓發(fā)生器中。
高壓薄膜類電容器與高壓陶瓷電容器的各自優(yōu)劣，主要是以下幾點(diǎn)：
1.高壓陶瓷電容的使用壽命更長(zhǎng)。薄膜電容的壽命也就是三兩年，電好的產(chǎn)品也不會(huì)超出5年。而高壓陶瓷電容器則不同，正常使用5~10年。
2.高壓陶瓷電容的內(nèi)阻更小。這是由各自的構(gòu)造特點(diǎn)決定的。高壓陶瓷電容器的內(nèi)阻很小，而薄膜電容器由于是采取卷繞方式，這樣就造成內(nèi)阻偏大。而這種偏大的內(nèi)阻帶來(lái)的另一負(fù)面影響就是，電容在反復(fù)充放電的過(guò)程中，內(nèi)阻會(huì)繼續(xù)變大，并且會(huì)在一定時(shí)候使電容在電路中失效。
3.相對(duì)而言高壓陶瓷電容器的電壓更高。薄膜電容器的電容相對(duì)來(lái)講，工作電壓是不如陶瓷電容的高，這是共識(shí)；
4.有優(yōu)點(diǎn)也會(huì)有缺點(diǎn)，陶瓷電容的容量較小。
高壓陶瓷電容 、測(cè)試方法
高壓陶瓷電容器的可靠性測(cè)試，也叫老化測(cè)試，壽命測(cè)試，包括很多方面的測(cè)試內(nèi)容：
1，串聯(lián)電阻測(cè)試，絕緣電阻測(cè)試；
2，拉力測(cè)試，即引線與芯片焊接的牢固度；
3，正負(fù)溫變化率測(cè)試，即-40度到+60度狀況下，電容的變化率；
4，老化測(cè)試，高壓陶瓷電容在模擬工作環(huán)境狀態(tài)下運(yùn)作30~60天，測(cè)試其衰減其各項(xiàng)參數(shù)的變化；
5，耐壓實(shí)驗(yàn)，包括額定工作電壓24小時(shí)工作測(cè)試；也包括擊穿耐壓，即破壞性測(cè)試，電容被擊穿前的那一個(gè)臨界電壓就是擊穿電壓。
6，局放測(cè)試，即局部放電測(cè)試；
7，壽命測(cè)試，即在老化測(cè)試的基礎(chǔ)上，再對(duì)電容進(jìn)行高頻沖電流下快速充放電測(cè)試，得到的充放電次數(shù)就是充放電壽命，注意，這個(gè)壽命的得出是在長(zhǎng)時(shí)間的老化之后得出的。
高壓陶瓷電容 、自恢復(fù)期
高溫?zé)Y(jié)，是高壓陶瓷電容的重要的工序之一。經(jīng)過(guò)一百噸的沖壓鑄造，以及一千多度的高溫?zé)Y(jié)，高壓陶瓷電容的芯片內(nèi)部，各分子之間的構(gòu)造成晶體結(jié)構(gòu)。接下來(lái)的6小時(shí)的高溫烘烤，和7小時(shí)的保溫，徹底打亂了晶體的內(nèi)部構(gòu)造。
那么，要想恢復(fù)芯片的構(gòu)造，穩(wěn)固芯片的特性，高壓陶瓷電容需要時(shí)間恢復(fù)。自然恢復(fù)（常溫存放）以60天以上的時(shí)間為佳。而且，存放一年與存放兩年的產(chǎn)品，以時(shí)間長(zhǎng)為表現(xiàn)優(yōu)異。所以，恢復(fù)期長(zhǎng)，對(duì)電容器的性能是有很大幫助的，沒(méi)有恢復(fù)期的電容，其耐壓及耐電流性能是較差的。經(jīng)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，存放時(shí)間長(zhǎng)的高壓陶瓷電容器，其損耗角值會(huì)變得更小，高頻特性也會(huì)更好。
高壓陶瓷電容 、單位及符號(hào)
·電容的基本單位是：F（法），此外還有μF（微法）、pF（皮法），另外還有一個(gè)用的比較少的單位，那就是：nF，由于電容F的容量非常大，所以我們看到的一般都是μF、nF、pF的單位，而不是F的單位。他們之間的具體換算如下：
1F=1000000μF
1μF=1000nF=1000000pF
·電容的符號(hào)：
電容的符號(hào)同樣分為國(guó)內(nèi)標(biāo)表示法和國(guó)際電子符號(hào)表示法，但電容符號(hào)在國(guó)內(nèi)和國(guó)際表示都差不多，的區(qū)別就是在有極性電容上，國(guó)內(nèi)的是一個(gè)空筐下面一根橫線，而國(guó)際的就是普通電容加一個(gè)“+”符號(hào)代表正極。
高壓陶瓷電容 、使用注意
1.工作電壓在交流電路或紋波電流電路中使用直流額定電壓電容器時(shí),請(qǐng)務(wù)必將外加電壓的Vp-p值或包含直流偏置電壓的Vo-p值維持在額定電壓范圍內(nèi).若向電路施加電壓,開(kāi)始或停止時(shí)可能會(huì)因諧振或切換產(chǎn)生暫時(shí)的異常電壓.請(qǐng)務(wù)必使用額定電壓范圍包含這些異常電壓的電容器.
2.工作溫度和自生熱(適用于B/E/F特性)電容器的表面溫度應(yīng)保持在其額定工作溫度范圍的上限以下.務(wù)必考慮到電容器的自生熱.電容器在高頻電流,沖激電流等中使用時(shí)可能會(huì)因介電損耗發(fā)出自生熱.外加電壓應(yīng)使自生熱等負(fù)荷在25℃周圍溫度條件下不超過(guò)20℃范圍.測(cè)量時(shí)應(yīng)使用0.1mm小熱容量的(K)的熱電偶,而且電容器不應(yīng)受到其它元件的散熱或周圍溫度波動(dòng)影響. 過(guò)熱可能會(huì)導(dǎo)致電容器特性及可靠性下降.(切勿在冷卻風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)進(jìn)行測(cè)量.否則無(wú)法確保測(cè)量數(shù)據(jù)的精確性)
3.耐電壓的測(cè)試條件
(1)測(cè)試設(shè)備
交流耐電壓的測(cè)試設(shè)備應(yīng)具有能夠產(chǎn)生類似于50/60Hz正弦波的性能.
如果施加變形的正弦波或超過(guò)規(guī)定電壓值的過(guò)載電壓,則可能會(huì)導(dǎo)致故障.
(2)電壓外加方法
施加耐電壓時(shí),電容器的引線或端子應(yīng)與耐電壓測(cè)試設(shè)備的輸出端連接牢固;然后再將電壓從近零增加到測(cè)試電壓. 如果測(cè)試電壓不從近零逐漸提高而是直接施加在電容器上,則施加時(shí)應(yīng)包含過(guò)零點(diǎn)*.測(cè)試結(jié)束時(shí),測(cè)試電壓應(yīng)降到近零;然后再將電容器引線或端子從耐電壓測(cè)試設(shè)備的輸出端取下. 如果測(cè)試電壓不從近零逐漸提高而是直接施加在電容器上,則可能會(huì)出現(xiàn)浪涌電壓,從而導(dǎo)致故障.0V電壓正弦波 *過(guò)零點(diǎn)是指電壓正弦通過(guò)0V的位置.
4.失效安全性
當(dāng)電容器損壞時(shí),失效可能會(huì)導(dǎo)致短路.為了避免在短路時(shí)引起觸電,冒煙,火災(zāi)等危險(xiǎn)情況,請(qǐng)?jiān)陔娐分惺褂萌劢z等元件來(lái)設(shè)置自動(dòng)防故障功能.
使用本產(chǎn)品時(shí)如忽略上述警告事項(xiàng),則在嚴(yán)重情況下可能導(dǎo)致短路,并引起冒煙或局部離散。

使用與保管環(huán)境

（1）     電容器的絕緣層不具有良好的密封作用；因此，請(qǐng)勿將電容器存放在腐蝕性氣體中，尤其是存在氯氣，硫氣，酸，堿，鹽等的場(chǎng)所，同時(shí)應(yīng)防潮。
（2） 電容器應(yīng)存放在溫度及相對(duì)濕度分別不超出-10至40℃及15至85%范圍的場(chǎng)所。